Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
Gespeichert in:
| Datum: | 2015 |
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| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2015
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| Schriftenreihe: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000353233 |
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| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |