Methodological aspects of measuring the resistivity of contacts to high-resistance semiconductors

Methodological aspects of measuring the resistivity of contacts to high-resistance semiconductors

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2015
Автори:	V. S. Slipokurov, M. N. Dub, A. K. Tkachenko, Ya. Ya. Kudryk
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2015
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000706499
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Methodological aspects of measuring the resistivity of contacts to high-resistance semiconductors
за авторством: Slipokurov, V.S., та інші
Опубліковано: (2015)

Methodological aspects of measuring the resistivity of contacts to high-resistance semiconductors
за авторством: Slipokurov, V.S., та інші
Опубліковано: (2015)

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
за авторством: M. S. Boltovets, та інші
Опубліковано: (2010)

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
за авторством: Boltovets, M.S., та інші
Опубліковано: (2010)

Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2011)

Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2011)

Mechanisms of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density (review)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Temperature dependence of contact resistance of Au Ti Pd2Si n+-Si ohmic contacts
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2010)

Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2010)

Metrological aspects of researching the specific contact resistivity of ohmic contacts by using the four-contact method
за авторством: Sheremet, V.N.
Опубліковано: (2014)

Metrological aspects of studying the specific contact resistivity of ohmic contacts by using the four-contact method
за авторством: V. N. Sheremet
Опубліковано: (2014)

Influence of parameters inherent to ohmic contacts on properties of microwave avalanche transit-time diodes
за авторством: Ya. Ya. Kudryk, та інші
Опубліковано: (2019)

Resistance formation mechanisms for contacts and to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2012)

The features of temperature dependence of contact resistivity of Au-Ti-Pd₂Si-p⁺ ₋Si ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2010)

Interstrip resistance of a semiconductor microstrip detector
за авторством: Kulibaba, V., та інші
Опубліковано: (2001)

The features of temperature dependence of contact resistivity of Au Ti Pd2Si p+-Si ohmic contacts
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2010)

On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n+-n doping step
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2014)

On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n⁺ -n doping step
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2014)

Classical mesoscopic effect in the resistance of point contacts
за авторством: Kolesnichenko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (1997)

Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs
за авторством: V. M. Sorokin, та інші
Опубліковано: (2012)

About the role of contact resistances in the process of electroslag cladding
за авторством: K. A. Tsykulenko
Опубліковано: (2009)

Theoretical and experimental modelling the specific resistance of vertical ohmic contacts Au–Ti–Pd–n⁺-n-n⁺-Si in IMPATT diodes
за авторством: Romanets, P.M., та інші
Опубліковано: (2016)

Electrical resistance of thermoelectric material-metal contact
за авторством: L. M. Vikhor, та інші
Опубліковано: (2015)

Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs
за авторством: Sorokin, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)

Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2008)

The Induced Resistance of Society and Measures to Prevent It
за авторством: F. V. Abramov
Опубліковано: (2020)

Transient contact resistance in electrical connections with flat pins
за авторством: A. A. Efimenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Evaluation of mechanical stresses in metal using contact resistance method
за авторством: V. M. Kislitsyn, та інші
Опубліковано: (2017)

Thermoelasticity of anisotropic bimaterial solids with the contact thermal resistance of the interface of components and thin inclusions
за авторством: H. T. Sulym, та інші
Опубліковано: (2016)

Heat-resistant ohmic and barrier contacts for GaAs-based microwave devices
за авторством: Ivanov, V.N., та інші
Опубліковано: (2003)

Nanocellulose-Based Resistive Sensors for Air Humidity Measurements
за авторством: V. A. Lapshuda, та інші
Опубліковано: (2024)

The Spectra of X-ray and photoluminescence of high-resistance crystals of ZnSe
за авторством: M. Alizadeh, та інші
Опубліковано: (2018)

The Spectra of X-ray and photoluminescence of high-resistance crystals of ZnSe
за авторством: M. Alizadeh, та інші
Опубліковано: (2018)

Contact surface resistivity as a favorable condition of commutation process
за авторством: Chemerys, V.T.
Опубліковано: (2017)

Contact Surface Resistivity as a Favorable Condition of Commutation Process
за авторством: Chemerys, V.T.
Опубліковано: (2017)

Contact surface resistivity as a favorable condition of commutation process
за авторством: V. T. Chemerys
Опубліковано: (2017)

Investigation of contact resistivity for Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contacts for impatt diodes
за авторством: V. V. Basanets, та інші
Опубліковано: (2015)

THE EXPERIMENTAL VALIDATION OF THE GROUNDING DEVICE RESISTANCE MEASUREMENT METHOD
за авторством: Nizhevskyi, I. V., та інші
Опубліковано: (2016)

A TECHNIQUE OF MEASURING OF RESISTANCE OF A GROUNDING DEVICE
за авторством: Nizhevskyi, I. V., та інші
Опубліковано: (2016)