On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n+-n doping step

On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n+-n doping step

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2014
Hauptverfasser:	A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, A. O. Vinogradov, V. A. Pilipenko, T. V. Petlitskaya, V. M. Anischik, R. V. Konakova, T. V. Korostinskaya, V. P. Kostylyov, Ya. Ya. Kudryk, V. G. Lyapin, P. N. Romanets, V. N. Sheremet
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2014
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352564
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Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

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