Pliushchai, I. V., Pliushchai, O. I., & Makara, V. A. (2014). Ab Initio Calculation of Magnetic Interaction Between Edge Dislocation and Oxygen Impurity in Silicon.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Pliushchai, I. V., O. I. Pliushchai, та V. A. Makara. Ab Initio Calculation of Magnetic Interaction Between Edge Dislocation and Oxygen Impurity in Silicon. 2014.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Pliushchai, I. V., et al. Ab Initio Calculation of Magnetic Interaction Between Edge Dislocation and Oxygen Impurity in Silicon. 2014.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.