On the work function and Schottky barrier heights of metal nanofilms in a dielectric environment
Збережено в:
Дата: | 2014 |
---|---|
Автор: | A. V. Babich |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2014
|
Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000726126 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
On the work function and Schottky barrier heights of metal nanofilms in a dielectric environment
за авторством: A. V. Babich
Опубліковано: (2014) -
Methods for deter-mination of schottky barrier height from I-V curves (review)
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2014) -
Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au–TiB₂–n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics
за авторством: Kudryk, Ya.Ya., та інші
Опубліковано: (2014) -
Formation of ickel-platinum silicide layer as a barrier Schottky diodes
за авторством: P. V. Kuchinskij, та інші
Опубліковано: (2014) -
Influence of deformations with higher multiplicities on the barrier height of nuclei
за авторством: Yu. Denysov, та інші
Опубліковано: (2015)