Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals

Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2014
Автори:	M. I. Kliui, A. I. Liptuha, V. B. Lozinskyi, A. P. Oksanych, S. E. Prytchyn, F. V. Fomovskyi, V. O. Yukhymchuk
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2014
Назва видання:	Ukrainian Journal of Physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000726921
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: N. I. Klyui, та інші
Опубліковано: (2014)

Microwave irradiation of gallium arsenide
за авторством: Red'ko, R.
Опубліковано: (2006)

Photoelectric converters based on porous gallium arsenide
за авторством: A. I. Kirilash, та інші
Опубліковано: (2012)

Effect of neutron irradiation and doping level on defect structure formation in gallium arsenide crystals
за авторством: Seitmuratov, M.S., та інші
Опубліковано: (2002)

Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (1999)

Radiative recombination through EL2 centers in selenium and cadmium single crystals doped gallium arsenide
за авторством: Litvinova, M.B., та інші
Опубліковано: (2006)

Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)

Decrease of exciton radiation intensity in compensated gallium arsenide single crystals under influence of low electric field
за авторством: Shtan'ko, A.D., та інші
Опубліковано: (2010)

Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)

Change of parameters of semiinsulated undoped GaAs nonstoichiometric crystals under annealing
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2007)

Crystal structure of the arsenide HfNiAs
за авторством: O. Zhak
Опубліковано: (2018)

The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)

Photopleochroism of surface-barrier structures based on semiinsulating cadmium telluride
за авторством: Ilchuk, G.A.
Опубліковано: (2000)

Injection currents in lamellar crystals of gallium telluride
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2003)

Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects
за авторством: Dubovyi, V.K., та інші
Опубліковано: (2005)

Luminescence of gallium-containing complex oxide crystal
за авторством: Shevchuk, V.N.
Опубліковано: (2005)

Electron impact ionization of tellurium in the gas phase
за авторством: O. B. Shpenyk, та інші
Опубліковано: (2018)

Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2018)

Average resonance parameters of tellurium and neodymium nuclei
за авторством: M. M. Pravdivy, та інші
Опубліковано: (2012)

Average resonance parameters of tellurium and neodymium nuclei
за авторством: M. M. Pravdyvyi, та інші
Опубліковано: (2012)

Electron impact excitation and ionization of sulfur, selenium, and tellurium vapors
за авторством: O. B. Shpenik, та інші
Опубліковано: (2015)

Electron impact excitation and ionization of sulfur, selenium, and tellurium vapors
за авторством: O. B. Shpenyk, та інші
Опубліковано: (2015)

Dissolution of indium arsenide in nitric solutions of the hydrobromic acid
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)

Chemical dissolution of indium arsenide in the Br₂-HBr solutions
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)

The influence of hydrogen-charging on the properties of layered crystals of gallium and indium monoselenides
за авторством: O. O. Balytskyi
Опубліковано: (2010)

Optical and photoelectrical properties of lamellar gallium sulfide single crystals irradiated by γ-quanta
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2006)

Effect of tellurium on microstructure of low-alloyed cast iron deposited by electroslag method in current-carrying mold
за авторством: Ju. M. Kuskov, та інші
Опубліковано: (2019)

Features of growing epitaxial layers from solid solutions based on indium and aluminium arsenides
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2004)

The evaluation of operational degradation of gas pipeline steels by the mechanical stability criterion
за авторством: Yu. Ya. Mieshkov, та інші
Опубліковано: (2014)

Simulation and Diagnostics of Strains in the Subsurface Layers of Gadolinium—Gallium Garnet Single Crystals Implanted with F+ Ions
за авторством: V. O. Kotsiubynskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

The effect of resonance electron–phonon interaction on electronic spectra of tungsten and gallium
за авторством: N. G. Burma, та інші
Опубліковано: (2012)

On the mechanism of photoneutron reactions at light tellurium isotopes in the 10–18 MeV interval
за авторством: V. M. Mazur, та інші
Опубліковано: (2021)

Properties of original and irradiated phosphide-gallium LEDs
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024)

Sensor of hydrostatic pressure based on gallium antimonide microcrystals
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2015)

Hardening of magnesium alloy ML4 in alloying with gallium
за авторством: M. A. Khokhlov, та інші
Опубліковано: (2017)

Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017)

Structure and short range order of liquid gallium
за авторством: R. Bilyk, та інші
Опубліковано: (2017)

Optical constants of surface layer on gadolinium gallium garnet: ellipsometric study
за авторством: Belyaeva, A.I., та інші
Опубліковано: (1999)

High temperature strain sensors based on gallium phosphide whiskers
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2019)

Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2012)