Tin doping effect on crystallization of amorphous silicon, obtained by vapor deposition in vacuum
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автори: | V. B. Neimash, V. M. Poroshin, Ye. Shepeliavyi, V. O. Yukhymchuk, V. V. Melnyk, V. A. Makara, A. G. Kuzmich |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2013
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000352346 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Tin doping effect on crystallization of amorphous silicon obtained by vapor deposition in vacuum
за авторством: Neimash, V.B., та інші
Опубліковано: (2013) -
Mechanism of tin-induced crystallization in amorphous silicon
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2014) -
Mechanism of tin-induced crystallization in amorphous silicon
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2014) -
Raman scattering in the process of tin-induced crystallization of amorphous silicon
за авторством: V. Neimash, та інші
Опубліковано: (2016) -
Tin-induced crystallization of amorphous silicon assisted by a pulsed laser irradiation
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2017)