Quantitative parameters of stochastically inhomogeneous structure of amorphous films of Ge–Se system
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автори: | Yu. Bobyk, V. P. Ivanytskyi, V. S. Kovtunenko, V. I. Sabov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2013
|
Назва видання: | Nanosystems, nanomaterials, nanotechnologies |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000475571 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Laser-induced changes in optical properties of amorphous films of the system Ge-Se
за авторством: Рубіш, В. М., та інші
Опубліковано: (2024) -
Photo- and thermally-induced changes in the optical properties of Ge-S-Se amorphous films
за авторством: V. M. Rubish, та інші
Опубліковано: (2013) -
Photo- and thermally-induced changes in the optical properties of Ge-S-Se amorphous films
за авторством: Rubish, V.M., та інші
Опубліковано: (2013) -
Charge transition phenomena in the heterostructure crystalline Si-Bi-amorphous film Ge₃₃As₁₂Se₅₅
за авторством: Kondrat, O., та інші
Опубліковано: (2004) -
Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films
за авторством: I. D. Tolmachov, та інші
Опубліковано: (2010)