Interface features of SiO2/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO2 thin films
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автори: | Yu. Yu. Bacherikov, N. S. Boltovets, R. V. Konakova, Yu. Kolyadina, T. M. Lednova, O. B. Okhrimenko |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2012
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000350279 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Interface features of SiO₂/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO₂ thin films
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2012) -
Effect of microwave radiation on optical transmission spectra in SiO₂/SiC structures
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2002) -
Interaction of Red Blood Cells with Fumed SiO2, Al2O3/SiO2 and TiO2/SiO2 by Light Scattering Measurements
за авторством: Gerashchenko, I.I., та інші
Опубліковано: (2010) -
Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2002) -
Микроскопическая природа оптических центров Pr³⁺ в кристаллах Y₂SiO₅, Lu₂SiO₅, Gd₂SiO₅
за авторством: Малюкин, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2002)