Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts

Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
Hauptverfasser:	O. V. Kozynets, S. V. Litvinenko
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2012
Schriftenreihe:	Ukrainian journal of physics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000685846
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