On Bose condensation of exitons in quasi-two-dimensional semiconductor heterostructures
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автор: | V. B. Timofeev |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2012
|
Назва видання: | Low Temperature Physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000925401 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Coherence of Bose–Einstein condensate of dipolar excitons in GaAs/AlGaAs heterostructure
за авторством: A. V. Gorbunov, та інші
Опубліковано: (2016) -
Bose-Einstein condensation and/or modulation of "displacements" in the two-state Bose-Hubbard model
за авторством: Stasyuk, I.V., та інші
Опубліковано: (2018) -
Bose-Einstein condensation of dipolar excitons in lateral traps
за авторством: V. B. Timofeev, та інші
Опубліковано: (2011) -
Soluble model of Bose-atoms with two level internal structure: non-conventional Bose-Einstein condensation
за авторством: Corgini, M., та інші
Опубліковано: (2010) -
Bose condensation in (random) traps
за авторством: Jaeck, Th., та інші
Опубліковано: (2009)