Стиль цитування APA (7-ме видання)

lgomati, H. A., Ahmad, I., Salehuddin, F., Hamid, F. A., Zaharim, A., Majlis, B. Y., & Apte, P. R. (2011). Optimal solution in producing 32nm CMOS technology transistor with desired leakage current.

Чикаго стиль цитування (17-те видання)

lgomati, H. A., I. Ahmad, F. Salehuddin, F. A. Hamid, A. Zaharim, B. Y. Majlis, та P. R. Apte. Optimal Solution in Producing 32nm CMOS Technology Transistor with Desired Leakage Current. 2011.

Стиль цитування MLA (8-ме видання)

lgomati, H. A., et al. Optimal Solution in Producing 32nm CMOS Technology Transistor with Desired Leakage Current. 2011.