Changes in Hall parameters after -irradiation (60So) of n-Ge

Changes in Hall parameters after -irradiation (60So) of n-Ge

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2011
1. Verfasser:	G. P. Gaidar
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2011
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349739
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Changes in Hall parameters after γ-irradiation (⁶⁰Со) of n-Ge
von: Gaidar, G.P.
Veröffentlicht: (2011)

Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
von: G. P. Gaidar
Veröffentlicht: (2012)

Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and -irradiation (60Co) on electrophysical parameters of n-Ge Sb
von: G. P. Gaidar
Veröffentlicht: (2014)

Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and y-irradiation (⁶⁰Co) on electrophysical parameters of n-Ge <Sb>
von: Gaidar, G.P.
Veröffentlicht: (2014)

Influence of γ-irradiation (⁶⁰Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
von: Gaidar, G.P.
Veröffentlicht: (2012)

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
von: Gaidar, G.P.
Veröffentlicht: (2015)

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
von: G. P. Gaidar
Veröffentlicht: (2015)

Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals
von: T. A. Pagava, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals
von: T. A. Pagava, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Radiation defects parameters determination in n-Ge single crystals irradiated by high-energy electrons
von: S. V. Lunov, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
von: Arapov, Yu.G., et al.
Veröffentlicht: (2007)

On methodology of measuring parameters with the increased sensitivity to residual or irradiation induced inhomogeneities in semiconductors
von: Gaidar, G.P.
Veröffentlicht: (2009)

Dose dependence of tensoresistance for the symmetrical orientation of the deformation axis relatively to all isoenergetic ellipsoids in γ-irradiated (60Co) n-Si crystals
von: G. P. Gaidar
Veröffentlicht: (2018)

Concentration dependences of the anisotropy parameter of mobility K = μ⊥/μ || and the anisotropy parameter of electron-phonon drag thermopower M = α || ph/α⊥ ph IN n-Ge and n-Si
von: G. P. Gaidar, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
von: P. I. Baranskii, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
von: Baranskii, P.I., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Anisotropy of electron phonon drag thermoEMF in n-Ge
von: P. I. Baranskii, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Changing of the anisotropy parameter of mobility in n-Ge single crystals with heterogeneous distribution of doping impurity
von: D. A. Zakharchuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Some peculiarities of thermopower anisotropy in undeformed and elastically deformed n – Si and n – Ge single crystals
von: G. P. Gaidar, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Möller polarimeter in the Hall A Jefferson Lab after reconstruction
von: Pomatsalyuk, R.I.
Veröffentlicht: (2016)

Magnetic and magnetoresistive characteristics of neutron-irradiated Si₀.₉₇Ge₀.₀₃ whiskers
von: Litovchenko, P.G., et al.
Veröffentlicht: (2014)

The impact of heat treatment on the magnetic sensitivity of irradiated by electrons single crystals n-Ge
von: Luniov, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Change in the hardness and elastic modulus of the alloy surface E110 after irradiation with metal ions
von: V. A. Belous, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Changing of the granulometric composition and hydrophilic of activated carbon after ultrasound irradiation in precavitational regime
von: I. M. Bordun, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Semantic change of pronominal adverbs for «so»: models and motivation
von: Yermolenko, S.S.
Veröffentlicht: (2016)

The baric changes of the refractive properties of K₂SO₄ crystals
von: Stadnyk, V.Yo., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
von: S. V. Luniov, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Influence of electron irradiation on spectra of light electroreflection from the surface of Ge/Ge₁₋xSix heterostructure
von: Abbasov, Sh.M., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
von: S. V. Lunov, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Semantic change of pronominal adverbs for "so": models and motivation
von: S. S. Yermolenko
Veröffentlicht: (2016)

Simulation of industrial 60So gamma-ray source by Monte-Carlo method
von: V. I. Hulik
Veröffentlicht: (2018)

Adsorption of Co2+ and radioactive 60So by mesoporous TiO2
von: H. V. Vasylyeva, et al.
Veröffentlicht: (2019)

The annealing of high - level doped materials on the base of the n – and p – Si₀.₇ Ge₀.₃ solid solution under reactor irradiation
von: Dolgolenko, A.P.
Veröffentlicht: (2006)

Magnetic and magnetoresistive characteristics of neutron-irradiated Si0. 97Ge0. 03 whiskers
von: P. G. Litovchenko, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Kinetic parameters of charge carrier traps in magnesium-aluminum spinel crystals after X-ray and UV irradiation
von: Kobyakov, V.A., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Plateau–plateau transitions in the quantum Hall regime for a single quantum well heterostructure n-InGaAs/GaAs before and after IR illumination
von: Ju. G. Arapov, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Ultrastructure of arteries after devitalization with low temperatures and ionizing irradiation
von: D. V. Byzov, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
von: A. P. Savelev, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Structure formation and wear resistance of TiN-Ni ESA coatings after solar irradiation treatment
von: Paustovsky, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Quantum Hall interferometers
von: E. V. Devjatov
Veröffentlicht: (2013)