Стиль цитування APA (7-ме видання)

Asnis, Y. A., Baranskyi, P. I., Babych, V. M., Piskun, N. V., & Statkevych, I. I. (2011). Contents of doping and background impurities in Si single crystals, obtained by czucibleless electron-beam zone melting.

Чикаго стиль цитування (17-те видання)

Asnis, Yu. A., P. I. Baranskyi, V. M. Babych, N. V. Piskun, та I. I. Statkevych. Contents of Doping and Background Impurities in Si Single Crystals, Obtained by Czucibleless Electron-beam Zone Melting. 2011.

Стиль цитування MLA (8-ме видання)

Asnis, Yu. A., et al. Contents of Doping and Background Impurities in Si Single Crystals, Obtained by Czucibleless Electron-beam Zone Melting. 2011.