Contents of doping and background impurities in Si single crystals, obtained by czucibleless electron-beam zone melting
Gespeichert in:
Datum: | 2011 |
---|---|
Hauptverfasser: | Yu. A. Asnis, P. I. Baranskyi, V. M. Babych, N. V. Piskun, I. I. Statkevych |
Format: | Artikel |
Sprache: | English |
Veröffentlicht: |
2011
|
Schriftenreihe: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363684 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
-
Refining of silicon from background and alloying impurities in electron beam crucibleless zonal melting
von: E. A. Asnis, et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Refining of silicon single crystals in their growing by the method of electron beam crucibleless zonal melting
von: E. A. Asnis, et al.
Veröffentlicht: (2011) -
High-temperature mechanical properties of β-stabilized intermetallic alloy of TiAl system after induction zone melting
von: L. M. Lobanov, et al.
Veröffentlicht: (2020) -
Distribution of interstitial impurities in chromium coating, obtained by ion beam assisted deposition
von: A. Guglya, et al.
Veröffentlicht: (2003) -
Distribution of interstitial impurities in chromium coating, obtained by ion beam assisted deposition
von: Guglya, A., et al.
Veröffentlicht: (2003)