Електричні властивості НДН-гетероструктур n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe - Orletskyi, I. G.; Ilashchuk, M. I.; Maistruk, E. V.; Solovan, M. M.; Maryanchuk, P. D.; Nichyi, S. V. (Publishing house "Academperiodika", 2019)
Дослiджено умови виготовлення випрямляючих гетероструктур напiвпровiдник–дiелектрик–напiвпровiдник (НДН) n-SnS2/CdTeO3/p-Cd1−xZnxTe методом спрей-пiролiзу тонких плiвок SnS2 на кристалiчнi пiдкладки p-Cd1−xZnxTe iз формуванням промiжного тунельно-тонкого оксидного шару CdTeO3. На основi аналiзу температурних залежностей ВАХ встановлена динамiка змiни енергетичних параметрiв гетероструктури та з’ясована роль енергетичних станiв на межi CdTeO3/p-Cd1−xZnxTe при формуваннi прямого та зворотного струмiв. На основi C–V -характеристик дослiдженi процеси акумуляцiї та iнверсiї в НДН структурi. Запропонована модель енергетичної дiаграми гетероструктури, яка добре описує експериментальнi електрофiзичнi явища.