Ефекти просторового переносу носiїв заряду в гетероструктурах n-AlGaAs/GaAs з дельта-шарами домiшки в бар’єрах

Ефекти просторового переносу носiїв заряду в гетероструктурах n-AlGaAs/GaAs з дельта-шарами домiшки в бар’єрах

The results of investigations of the electric and magnetic transport phenomena of charge carriers in the heterostructures with quantum wells and impurity delta-layers in adjacent barriers are reviewed and analyzed. The positive magnetoresistance observed at low temperatures (T < 20 K) and the...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2018
Автори:	Vainberg, V. V., Pylypchuk, A. S., Poroshin, V. N., Sarbey, O. G.
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	Publishing house "Academperiodika" 2018
Теми:	heterostructures quantum wells lateral conduction magnetoresistance delta doping
Онлайн доступ:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018501
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Ukrainian Journal of Physics

Репозитарії

Ukrainian Journal of Physics

Схожі ресурси

Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2014)

Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2014)

Вплив температури на магнiторезистивнi властивостi структурно несуцiльних плiвок Fe та Co
за авторством: Chornous, A. M., та інші
Опубліковано: (2018)

Взаимодействие неоднородных упругих волн с двумерными электронами в гетероструктурах AlGaAs-GaAs-AlGaAs
за авторством: Филь, Д.В.
Опубліковано: (1999)

Optical characterization of pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)

Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)

2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)

Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)

On substantiation of mechanism of lateral extrusion of the crust of the Mountain Crimea
за авторством: Gonchar, V.
Опубліковано: (2015)

Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)

Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)

High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE
за авторством: Krukovsky, S.I., та інші
Опубліковано: (2003)

Coherence of Bose–Einstein condensate of dipolar excitons in GaAs/AlGaAs heterostructure
за авторством: A. V. Gorbunov, та інші
Опубліковано: (2016)

TO PROBLEM OF PLEISTOCENE HISTORY OF FORMING OF VALLEY RELIEF ON LEFT BANK OF THE MIDDLE DNIEPER. Paper 1. System-geomorphological sights of two glacial transgressive stages
за авторством: Karpenko, A.
Опубліковано: (2018)

Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)

Когерентность конденсата Бозе–Эйнштейна диполярных экситонов в GaAs/AlGaAs гетероструктуре
за авторством: Горбунов, А.В., та інші
Опубліковано: (2016)

Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2014)

Дослідження пасток в гетероструктурах AlGaN/GaN ультразвуковими коливаннями
за авторством: Kaliuzhnyi, V.V., та інші
Опубліковано: (2021)

Магнитооптика гетероструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs и ферромагнитным дельта-слоем Mn
за авторством: Зайцев, С.В.
Опубліковано: (2012)

Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2002)

Spin and charge effects caused by positively charged acceptors in GaAs/AlGaAs quantum wells
за авторством: P. V. Petrov, та інші
Опубліковано: (2015)

О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)

Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
за авторством: Петров, П.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Static domain in device with intervalley electron transfer on the basis of variband AlGaAs
за авторством: I. P. Storozhenko
Опубліковано: (2015)

Research of the photo-voltaic effect in the two-base Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au structure with various thicknesses of a base
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2014)

Поверхневе розсiювання носiїв струму i поверхневi електроннi стани
за авторством: Sologub, S. V., та інші
Опубліковано: (2019)

Статический домен в приборе с междолинным переносом электронов на основе варизонного AlGaAs
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2015)

Структура, оптичнi i фотовольтаїчнi властивостi тонких плiвок тетрацену
за авторством: Gorishnyi, M. P., та інші
Опубліковано: (2019)

Поляризацiйнi залежностi випромiнювання гарячими носiями в InSb
за авторством: Bondar, V. M., та інші
Опубліковано: (2019)

Залежнiсть енергiї екситонних переходiв у наноплiвках AlxGa1−xAs/GaAs/AlxGa1−xAs вiд товщини, концентрацiї та температури
за авторством: Kondryuk, D. V., та інші
Опубліковано: (2019)

Змiна типу носiїв у багатошарових тонких плiвках графену
за авторством: Elmeleegi, H. A., та інші
Опубліковано: (2018)

Поляризацiйнi залежностi фотоструму в p-GaAs
за авторством: Rasulov, V. R.
Опубліковано: (2019)

Вплив домiшки хрому на люмiнесценцiю нанокристалiчних порошкiв анатазу TiO2
за авторством: Kernazhitsky, L., та інші
Опубліковано: (2019)

Новi сполуки в системi Er—Ga—Si
за авторством: Пукас, С.Я., та інші
Опубліковано: (2007)

Вплив домiшки олова на деградацiю провiдностi в n-кремнiї при електронному опромiненнi
за авторством: Kras’ko, M. M.
Опубліковано: (2018)

Механiзми розсiювання носiїв заряду у термоелектричному PbTe:Sb
за авторством: Freik, D. M., та інші
Опубліковано: (2018)