Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію - Shmid, V.; Podolian, A.; Nadtochiy, A.; Korotchenkov, O.; Romanyuk, B.; Melnik, V.; Popov, V.; Kosulya, O. (Publishing house "Academperiodika", 2019)
Виявлено, що тонкi шари аморфного та полiкристалiчного Si (вiдповiдно a-Si та poly-Si), нанесенi на поверхню Ge0,25Si0,75, суттєво зменшують величину негативної фото-ЕРС, вiдтворюванiй у шарi Ge0,25Si0,75, нанесеному на пiдкладку кристалiчного Si. У той самий час, при достатнiй глибинi проникнення свiтла, що включає обидва нанесенi шари та приповерхневу область пiдкладки Si, у промiжки часу, бiльшi за ≈10–20 мкс пiсля закiнчення свiтлового iмпульсу, спостерiгається фото-ЕРС позитивного знака. Виявлено також, що насичення киснем шару a-Si в гетероструктурi a-Si/Ge0,25Si0,75/c-Si призводить до суттєвого зростання величини додатної складової сигналу фото-ЕРС (в 6 разiв у наших експериментах). Такий ефект може бути використано для розробки ефективних сонячних елементiв на основi гетероструктури a-Si/GexSi1−x/c-Si.