Вплив активних обробок на фотоелектричні характеристики структур на основі плівок CdTe

Photoelectric characteristics of ITO/CdTe structures fabricated by the thermal evaporation in vacuum followed by their deposition in a quasiclosed volume have been studied before and after treatments of various kinds. Some specimens were subjected to a "chloride" treatment, the others were...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2012
Автори: Klyui, N.I., Kostylyov, V.P., Lukyanov, A.N., Makarov, A.V., Chernenko, V.V., Khripunov, G.S., Kharchenko, N.M., Meriuts, A.V., Shelest, T.M., Lee, T.A., Klyui, A.N.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
English
Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2012
Теми:
-
Онлайн доступ:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021270
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Репозитарії

Ukrainian Journal of Physics
id ujp2-article-2021270
record_format ojs
spelling ujp2-article-20212702022-01-20T13:19:51Z Effect of Active Treatments on Photovoltaic Characteristics of Structures Based on CdTe Films Вплив активних обробок на фотоелектричні характеристики структур на основі плівок CdTe Klyui, N.I. Kostylyov, V.P. Lukyanov, A.N. Makarov, A.V. Chernenko, V.V. Khripunov, G.S. Kharchenko, N.M. Meriuts, A.V. Shelest, T.M. Lee, T.A. Klyui, A.N. - - Photoelectric characteristics of ITO/CdTe structures fabricated by the thermal evaporation in vacuum followed by their deposition in a quasiclosed volume have been studied before and after treatments of various kinds. Some specimens were subjected to a "chloride" treatment, the others were annealed in air. Afterward, the specimenswere treated in hydrogen plasma, and they were covered with a thin diamond-like carbon film. The "chloride" treatment of ITO/CdTe structures is shown to result in an increase of the diffusion length of charge carriers in the CdTe layer. The thermal annealing did not affect this parameter, but significantly enhanced the photosensitivity, which means a reduction of the surface recombination rate in the surface CdTe layer. For all considered ITO/CdTe structures obtained by the thermal evaporation in vacuum, the following treatment in hydrogen plasma and the deposition ofthin diamond-like films brought about a substantial increase in the diffusion length of charge carriers in the CdTe layer. The ITO/CdTe structures obtained by the thermal vacuum evaporation and treated with hydrogen plasma demonstrated a significant enhancement of their spectral sensitivity in a wavelength range of 400–800 nm, whereas the same effect for structures subjected to the "chloride" treatment was obtained after the sequential hydrogen plasmatreatment and the diamond-like carbon film deposition. Досліджено фотоелектричні характеристики структур ITO/CdTe, виготовлених методом термічного вакуумного випаровування та шляхом осадження у квазізамкненому об'ємі до та після різних обробок. Частина зразків проходила "хлоридну" обробку, інша – відпал на повітрі. Після цього проводилась обробка зразків у плазмі водню та нанесення на них тонкої алмазоподібної плівки. Показано, що проведення "хлоридної" обробки структур ІТО/CdTe приводить до збільшення дифузійної довжини носіїв заряду у шарі CdTe. Проведення термовідпалу не впливає на значення дифузійної довжини носіїв заряду у шарі CdTe, але значно підвищує фоточутливість, що свідчить про зменшення на поверхні шару CdTe швидкості поверхневої рекомбінації. Шляхом комбінації термовідпалу, "хлоридної" обробки, плазмової обробки у водні та нанесення тонких алмазоподібних плівок отримано збільшення довжини дифузії носіїв заряду у шарі CdTe в усіх досліджуваних структурах ІТО/CdTe. На структурах ІТО/CdTe, отриманих термічним вакуумним випаровуванням, обробка у плазмі водню приводила до значного збільшення спектральної чутливості у діапазоні довжин хвиль 400–800 нм, а на структурах, які пройшли "хлоридну" обробку, значне збільшення спектральної чутливості досягалось після обробки у плазмі водню нанесення алмазоподібних плівок. Publishing house "Academperiodika" 2012-05-30 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021270 10.15407/ujpe57.5.538 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 57 No. 5 (2012); 538 Український фізичний журнал; Том 57 № 5 (2012); 538 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe57.5 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021270/1992 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021270/1993
institution Ukrainian Journal of Physics
collection OJS
language Ukrainian
English
topic -
-
spellingShingle -
-
Klyui, N.I.
Kostylyov, V.P.
Lukyanov, A.N.
Makarov, A.V.
Chernenko, V.V.
Khripunov, G.S.
Kharchenko, N.M.
Meriuts, A.V.
Shelest, T.M.
Lee, T.A.
Klyui, A.N.
Вплив активних обробок на фотоелектричні характеристики структур на основі плівок CdTe
topic_facet -
-
format Article
author Klyui, N.I.
Kostylyov, V.P.
Lukyanov, A.N.
Makarov, A.V.
Chernenko, V.V.
Khripunov, G.S.
Kharchenko, N.M.
Meriuts, A.V.
Shelest, T.M.
Lee, T.A.
Klyui, A.N.
author_facet Klyui, N.I.
Kostylyov, V.P.
Lukyanov, A.N.
Makarov, A.V.
Chernenko, V.V.
Khripunov, G.S.
Kharchenko, N.M.
Meriuts, A.V.
Shelest, T.M.
Lee, T.A.
Klyui, A.N.
author_sort Klyui, N.I.
title Вплив активних обробок на фотоелектричні характеристики структур на основі плівок CdTe
title_short Вплив активних обробок на фотоелектричні характеристики структур на основі плівок CdTe
title_full Вплив активних обробок на фотоелектричні характеристики структур на основі плівок CdTe
title_fullStr Вплив активних обробок на фотоелектричні характеристики структур на основі плівок CdTe
title_full_unstemmed Вплив активних обробок на фотоелектричні характеристики структур на основі плівок CdTe
title_sort вплив активних обробок на фотоелектричні характеристики структур на основі плівок cdte
title_alt Effect of Active Treatments on Photovoltaic Characteristics of Structures Based on CdTe Films
description Photoelectric characteristics of ITO/CdTe structures fabricated by the thermal evaporation in vacuum followed by their deposition in a quasiclosed volume have been studied before and after treatments of various kinds. Some specimens were subjected to a "chloride" treatment, the others were annealed in air. Afterward, the specimenswere treated in hydrogen plasma, and they were covered with a thin diamond-like carbon film. The "chloride" treatment of ITO/CdTe structures is shown to result in an increase of the diffusion length of charge carriers in the CdTe layer. The thermal annealing did not affect this parameter, but significantly enhanced the photosensitivity, which means a reduction of the surface recombination rate in the surface CdTe layer. For all considered ITO/CdTe structures obtained by the thermal evaporation in vacuum, the following treatment in hydrogen plasma and the deposition ofthin diamond-like films brought about a substantial increase in the diffusion length of charge carriers in the CdTe layer. The ITO/CdTe structures obtained by the thermal vacuum evaporation and treated with hydrogen plasma demonstrated a significant enhancement of their spectral sensitivity in a wavelength range of 400–800 nm, whereas the same effect for structures subjected to the "chloride" treatment was obtained after the sequential hydrogen plasmatreatment and the diamond-like carbon film deposition.
publisher Publishing house "Academperiodika"
publishDate 2012
url https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021270
work_keys_str_mv AT klyuini effectofactivetreatmentsonphotovoltaiccharacteristicsofstructuresbasedoncdtefilms
AT kostylyovvp effectofactivetreatmentsonphotovoltaiccharacteristicsofstructuresbasedoncdtefilms
AT lukyanovan effectofactivetreatmentsonphotovoltaiccharacteristicsofstructuresbasedoncdtefilms
AT makarovav effectofactivetreatmentsonphotovoltaiccharacteristicsofstructuresbasedoncdtefilms
AT chernenkovv effectofactivetreatmentsonphotovoltaiccharacteristicsofstructuresbasedoncdtefilms
AT khripunovgs effectofactivetreatmentsonphotovoltaiccharacteristicsofstructuresbasedoncdtefilms
AT kharchenkonm effectofactivetreatmentsonphotovoltaiccharacteristicsofstructuresbasedoncdtefilms
AT meriutsav effectofactivetreatmentsonphotovoltaiccharacteristicsofstructuresbasedoncdtefilms
AT shelesttm effectofactivetreatmentsonphotovoltaiccharacteristicsofstructuresbasedoncdtefilms
AT leeta effectofactivetreatmentsonphotovoltaiccharacteristicsofstructuresbasedoncdtefilms
AT klyuian effectofactivetreatmentsonphotovoltaiccharacteristicsofstructuresbasedoncdtefilms
AT klyuini vplivaktivnihobroboknafotoelektričníharakteristikistrukturnaosnovíplívokcdte
AT kostylyovvp vplivaktivnihobroboknafotoelektričníharakteristikistrukturnaosnovíplívokcdte
AT lukyanovan vplivaktivnihobroboknafotoelektričníharakteristikistrukturnaosnovíplívokcdte
AT makarovav vplivaktivnihobroboknafotoelektričníharakteristikistrukturnaosnovíplívokcdte
AT chernenkovv vplivaktivnihobroboknafotoelektričníharakteristikistrukturnaosnovíplívokcdte
AT khripunovgs vplivaktivnihobroboknafotoelektričníharakteristikistrukturnaosnovíplívokcdte
AT kharchenkonm vplivaktivnihobroboknafotoelektričníharakteristikistrukturnaosnovíplívokcdte
AT meriutsav vplivaktivnihobroboknafotoelektričníharakteristikistrukturnaosnovíplívokcdte
AT shelesttm vplivaktivnihobroboknafotoelektričníharakteristikistrukturnaosnovíplívokcdte
AT leeta vplivaktivnihobroboknafotoelektričníharakteristikistrukturnaosnovíplívokcdte
AT klyuian vplivaktivnihobroboknafotoelektričníharakteristikistrukturnaosnovíplívokcdte
first_indexed 2023-03-24T08:59:40Z
last_indexed 2023-03-24T08:59:40Z
_version_ 1795757731383083008