Аналітичні та чисельні розрахунки фотопровідності поруватого кремнію
Представлено результати аналітичного та чисельного розрахунків фотопровідності макропоруватого кремнію зі сферичними і циліндричними порами. Проаналізовано залежність фотопровідності від швидкості поверхневої рекомбінації при різних радіусах пор (r0) та середніх відстанях (2R) між ними. Фотопровідні...
Saved in:
| Date: | 2022 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian English |
| Published: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022025 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2022025 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20220252022-02-08T07:42:42Z Аналітичні та чисельні розрахунки фотопровідності поруватого кремнію Analytical and Numerical Calculations of Photoconductivity in Porous Silicon Monastyrskii, L.S. Sokolovskii, B.S. Pavlyuk, M.R. - - Представлено результати аналітичного та чисельного розрахунків фотопровідності макропоруватого кремнію зі сферичними і циліндричними порами. Проаналізовано залежність фотопровідності від швидкості поверхневої рекомбінації при різних радіусах пор (r0) та середніх відстанях (2R) між ними. Фотопровідність поруватого кремнію зростає при збільшенні відстані між порами і зменшується при зростанні радіуса пор або швидкості поверхневої рекомбінації. Показано, що у випадку малих значень відношень R до r0 між результатами аналітичного розрахунку та чисельного моделюванняметодом скінченних елементів існує суттєва різниця, яку зменшено (до 1%) шляхом введення коректуючого коефіцієнта в аналітичний вираз. The results of analytical and numerical calculations of photoconductivity in porous silicon with spherical and cylindrical pores are reported. The dependence of photoconductivity on the surface recombination rate has been analyzed for various pore radii, r0, and various average distances between pores, 2R. The photoconductivity of porous silicon increases with the distance between pores and decreases, as the pore radius or the surface recombination rate grows. In the case of small R/r0 ratios, there is a significant discrepancy between the results of analytical calculations and those obtained numerically within the finite element method. The discrepancy was reduced to 1% by introducing a correction coefficient into the analytical expression. Publishing house "Academperiodika" 2022-02-08 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022025 10.15407/ujpe56.9.902 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 9 (2011); 902 Український фізичний журнал; Том 56 № 9 (2011); 902 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe56.9 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022025/2241 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022025/2242 |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian English |
| topic |
- - |
| spellingShingle |
- - Monastyrskii, L.S. Sokolovskii, B.S. Pavlyuk, M.R. Аналітичні та чисельні розрахунки фотопровідності поруватого кремнію |
| topic_facet |
- - |
| format |
Article |
| author |
Monastyrskii, L.S. Sokolovskii, B.S. Pavlyuk, M.R. |
| author_facet |
Monastyrskii, L.S. Sokolovskii, B.S. Pavlyuk, M.R. |
| author_sort |
Monastyrskii, L.S. |
| title |
Аналітичні та чисельні розрахунки фотопровідності поруватого кремнію |
| title_short |
Аналітичні та чисельні розрахунки фотопровідності поруватого кремнію |
| title_full |
Аналітичні та чисельні розрахунки фотопровідності поруватого кремнію |
| title_fullStr |
Аналітичні та чисельні розрахунки фотопровідності поруватого кремнію |
| title_full_unstemmed |
Аналітичні та чисельні розрахунки фотопровідності поруватого кремнію |
| title_sort |
аналітичні та чисельні розрахунки фотопровідності поруватого кремнію |
| title_alt |
Analytical and Numerical Calculations of Photoconductivity in Porous Silicon |
| description |
Представлено результати аналітичного та чисельного розрахунків фотопровідності макропоруватого кремнію зі сферичними і циліндричними порами. Проаналізовано залежність фотопровідності від швидкості поверхневої рекомбінації при різних радіусах пор (r0) та середніх відстанях (2R) між ними. Фотопровідність поруватого кремнію зростає при збільшенні відстані між порами і зменшується при зростанні радіуса пор або швидкості поверхневої рекомбінації. Показано, що у випадку малих значень відношень R до r0 між результатами аналітичного розрахунку та чисельного моделюванняметодом скінченних елементів існує суттєва різниця, яку зменшено (до 1%) шляхом введення коректуючого коефіцієнта в аналітичний вираз. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2022 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022025 |
| work_keys_str_mv |
AT monastyrskiils analítičnítačiselʹnírozrahunkifotoprovídnostíporuvatogokremníû AT sokolovskiibs analítičnítačiselʹnírozrahunkifotoprovídnostíporuvatogokremníû AT pavlyukmr analítičnítačiselʹnírozrahunkifotoprovídnostíporuvatogokremníû AT monastyrskiils analyticalandnumericalcalculationsofphotoconductivityinporoussilicon AT sokolovskiibs analyticalandnumericalcalculationsofphotoconductivityinporoussilicon AT pavlyukmr analyticalandnumericalcalculationsofphotoconductivityinporoussilicon |
| first_indexed |
2023-03-24T09:00:16Z |
| last_indexed |
2023-03-24T09:00:16Z |
| _version_ |
1795757747938000896 |