Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками
У гетероструктурах InxGa1–xAs/GaAs з ланцюгами квантових точок (КТ) з різною концентрацією x індію досліджено властивості латерального фотоструму. При зона-зонному збудженні КТ квантами h\ν = 1,2 еВ структури виявили довготривалу динаміку наростання та релаксації фотоструму, а також ефект залишкової...
Saved in:
| Date: | 2022 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian English |
| Published: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022030 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of Physics| Summary: | У гетероструктурах InxGa1–xAs/GaAs з ланцюгами квантових точок (КТ) з різною концентрацією x індію досліджено властивості латерального фотоструму. При зона-зонному збудженні КТ квантами h\ν = 1,2 еВ структури виявили довготривалу динаміку наростання та релаксації фотоструму, а також ефект залишкової провідності після вимкнення збуджувального випромінювання. Аналіз даних із термостимульованої провідності (ТСП) після збудження оптичним випромінюванням в області поглинання КТ засвідчив такі значення енергетичних рівнів дефектних станів відносно зони провідності GaAs: 0,11 еВ, 0,16 еВ, 0,21 еВ, 0,24 еВ та 0,35 еВ. На дослідах латеральної фотопровідності (ЛФП) виявлено переходи за участю рівнів електронних пасток власних дефектів у GaAs EL2 та EB3. У найпростішому випадку наноструктурного фотопровідника з одним центром прилипання для електронів провідності отримано аналітичнийвигляд кінетики фотоструму, який підтверджено на дослідах зі зразками In0,4Ga0,6As/GaAs. Кінетика фотопровідниківIn0,5Ga0,5As/GaAs дещо складніша і описана лише якісно. |
|---|