Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками

Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками

У гетероструктурах InxGa1–xAs/GaAs з ланцюгами квантових точок (КТ) з різною концентрацією x індію досліджено властивості латерального фотоструму. При зона-зонному збудженні КТ квантами h\ν = 1,2 еВ структури виявили довготривалу динаміку наростання та релаксації фотоструму, а також ефект залишкової...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2022
Hauptverfasser:	Vakulenko, O.V., Golovynskyi, S.L., Kondratenko, S.V., Mazur, Yu.I., Wang, Zh.M., Salamo, G.J.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainian English
Veröffentlicht:	Publishing house "Academperiodika" 2022
Schlagworte:	-
Online Zugang:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022030
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics

Ähnliche Einträge

Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах
von: Litovchenko, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Instability of homogeneous composition of highly strained quantum wells in heterostructures GaAs/InxGa₁₋xAs/GaAs
von: Klimovskaya, A.I., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
von: N. M. Litovchenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
von: N. M. Lytovchenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
von: Аркуша, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Structural changes in multilayer systems containing InxGa₁₋xAs₁₋yNy quantum wells
von: Fodchuk, I.M., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
von: Якунин, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками
von: Vakulenko, O.V., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками
von: Вакуленко, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
von: Боцула, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Concentration-size dependences for the electron energy in AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs nanofilms
von: Kondryuk, D.V., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Concentration-dimension dependences for the electron energy in AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs nanofilms
von: D. V. Kondryuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Частотна модуляція рекомбінаційного випромінювання гетероструктури InAs/GaAs з квантовими точками InAs під впливом акустичної хвилі
von: Peleshchak, R.M., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
von: D. V. Kondryuk, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
von: D. V. Kondriuk, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer
von: Korotyeyev, V.V.
Veröffentlicht: (2015)

Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
von: Kondryuk, D.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
von: Kondryuk, D.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
von: Holovatsky, V.A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs)
von: Tkach, M.V., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Магнитооптика гетероструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs и ферромагнитным дельта-слоем Mn
von: Зайцев, С.В.
Veröffentlicht: (2012)

Experimental study and theoretical analysis of photoelectric characteristics of AlxGa₁₋xAs–p-GaAs–n-GaAs-based photoconverters with relief interfaces
von: Dmitruk, N.L., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Гібридні наноструктури з квантовими точками А₂В₆ і металевими наночастинками (огляд)
von: Крюченко, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Temperature changes in the exciton absorption band observed in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa1-xAs
von: D. V. Kondryuk, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
von: Iliash, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Фотопровідність та фотопольова емісія в багатошарових Si/Ge гетероструктурах із квантовими точками
von: Кондратенко, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Взаємодія електромагнетного випромінення з квантововимірними електронними станами в наногетероструктурах з квантовими точками
von: Покутній, С.І., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Модуляція напрямку випромінювання гетеролазера з квантовими точками InAs під впливом акустичної хвилі
von: Peleshchak, R.M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs
von: Сизов, Ф.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
von: Круковський, C.I., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Залежнiсть енергiї екситонних переходiв у наноплiвках AlxGa1−xAs/GaAs/AlxGa1−xAs вiд товщини, концентрацiї та температури
von: Kondryuk, D. V., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
von: Балицкий, А.А.
Veröffentlicht: (2005)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-x with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer
von: V. V. Korotyeyev
Veröffentlicht: (2015)