Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001)
За допомогою розрахунків з перших принципів перевірено можливість переходу одного атома кисню з місткового зв'язку між атомами аддимера та атомами другого приповерхневого шару в зв'язок між атомами другого та третього шарів поверхні GexSi1–x/Si(001) у випадку адсорбції одного, двох та трьо...
Saved in:
| Date: | 2022 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian English |
| Published: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022103 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of Physics| Summary: | За допомогою розрахунків з перших принципів перевірено можливість переходу одного атома кисню з місткового зв'язку між атомами аддимера та атомами другого приповерхневого шару в зв'язок між атомами другого та третього шарів поверхні GexSi1–x/Si(001) у випадку адсорбції одного, двох та трьох атомів кисню. Перехід кисню з місткового зв'язку між атомами аддимера та атомами другого приповерхневого шару у зв'язок між атомами другого та третього приповерхневого шарів енергетично невигідний, коли на поверхні GexSi1–x/Si(001) присутні чисті Si та змішані Si–Ge аддимери. У випадку, коли на поверхні GexSi1–x/Si(001) присутні чисті аддимери Ge, то можлива лише дифузія поодинокого атома кисню. Бар'єр для такої дифузії становить 2,09 еВ. Присутність чистих аддимерів Ge на поверхні GexSi1–x/Si(001) полегшує дифузію атома кисню в глибину більше, ніж присутність чистих Si або змішаних Si–Ge аддимерів. |
|---|