Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001)
За допомогою розрахунків з перших принципів перевірено можливість переходу одного атома кисню з місткового зв'язку між атомами аддимера та атомами другого приповерхневого шару в зв'язок між атомами другого та третього шарів поверхні GexSi1–x/Si(001) у випадку адсорбції одного, двох та трьо...
Gespeichert in:
| Datum: | 2022 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian English |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022103 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of Physics| Zusammenfassung: | За допомогою розрахунків з перших принципів перевірено можливість переходу одного атома кисню з місткового зв'язку між атомами аддимера та атомами другого приповерхневого шару в зв'язок між атомами другого та третього шарів поверхні GexSi1–x/Si(001) у випадку адсорбції одного, двох та трьох атомів кисню. Перехід кисню з місткового зв'язку між атомами аддимера та атомами другого приповерхневого шару у зв'язок між атомами другого та третього приповерхневого шарів енергетично невигідний, коли на поверхні GexSi1–x/Si(001) присутні чисті Si та змішані Si–Ge аддимери. У випадку, коли на поверхні GexSi1–x/Si(001) присутні чисті аддимери Ge, то можлива лише дифузія поодинокого атома кисню. Бар'єр для такої дифузії становить 2,09 еВ. Присутність чистих аддимерів Ge на поверхні GexSi1–x/Si(001) полегшує дифузію атома кисню в глибину більше, ніж присутність чистих Si або змішаних Si–Ge аддимерів. |
|---|