Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001)

Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001)

За допомогою розрахунків з перших принципів перевірено можливість переходу одного атома кисню з місткового зв'язку між атомами аддимера та атомами другого приповерхневого шару в зв'язок між атомами другого та третього шарів поверхні GexSi1–x/Si(001) у випадку адсорбції одного, двох та трьо...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2022
Hauptverfasser:	Afanasieva, T.V., Greenchuck, A.A., Koval’, I.P., Nakhodkin, M.G.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainian English
Veröffentlicht:	Publishing house "Academperiodika" 2022
Schlagworte:	-
Online Zugang:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022103
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics

Ähnliche Einträge

Адсорбція молекулярного кисню на по-верхню Si1–xGex/Si(001)
von: Greenchuk, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
von: A. A. Grynchuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Поверхневi напруження на початкових етапах окислення GexSi1−x/Si(001)
von: Grynchuk, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
von: O. A. Hrynchuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
von: O. A. Hrynchuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
von: A. A. Greenchuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
von: Afanasieva, T.V., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Engineering of mixed Bi₄(GexSi₁₋x)₃O₁₂ scintillation crystals
von: Galenin, E., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Приповерхневі шари і товщинні залежності термоелектричних властивостей парофазних конденсатів LAST на ситалі
von: Фреїк, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Взаємодiя молекулярного кисню з поверхнею Si(001), вкритою моношарами хрому та титану
von: Koval, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Study of the interaction of atoms of the IV- and V-th groups with Si(001) and Ge(001) surfaces
von: T. V. Afanasieva
Veröffentlicht: (2015)

Study of the interaction of atoms of the IV- and V-th groups with Si(001) and Ge(001) surfaces
von: T. V. Afanasieva
Veröffentlicht: (2015)

Microstructure of the relaxed (001) Si surface
von: Kiv, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
von: Dugaev, V.K., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Local atomic structures in Si₁₋xGex and Si₁₋xSnx random solid solutions
von: Deibuk, V.G., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Дослiдження взаємодiї атомiв елементiв IV та V груп з гранями Si(001), Ge(001)
von: Afanasieva, T. V.
Veröffentlicht: (2019)

Topography of Si epitaxial monolayers obtained on Si (001) substrate by computer simulations
von: Pyziak, L., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Interaction of molecular oxygen with Si(001) surface covered with a chromium or titanium monolayer
von: I. P. Koval, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Interaction of molecular oxygen with Si(001) surface covered with a chromium or titanium monolayer
von: I. P. Koval, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Scanning tunneling microscopy investigation of the Si(001)-c(8 Ч 8) nanostructured surface
von: A. Goriachko, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Scanning tunneling microscopy investigation of the Si(001)-c(8 Ч 8) nanostructured surface
von: A. Goriachko, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Phase diagrams of Si₁-xGex solid solution: a theoretical approach
von: Jivani, A.R., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Investigation of the optical and acoustical phonon modes in Si₁₋xGex QD SLs
von: Dzhagan, V.N., et al.
Veröffentlicht: (2003)

High-temperature configurations of dimers in Si (001) surface layers
von: Kiv, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Structure of the dimeric adsorption complex Ge on the face of Si(001)
von: O. I. Tkachuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Phase diagrams of Si1-xGex solid solution: a theoretical approach
von: A. R. Jivani, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців у багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах
von: Yukhymchuk, V.O., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Вплив тиску на міграцію кисню поблизу кремнієвої поверхні (100) SiC
von: Токій, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001)
von: Ткачук, О.І., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Morphology and optical constants of ge nanocrystalline films deposited on Si(001)
von: Yu. M. Kozyriev, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Transformation of addimers >Ge=Ge<, >Ge=Si< AND >Si=Si< on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
von: M. I. Terebinska, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3×3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
von: Gasparov, V.A.
Veröffentlicht: (2011)

Примежові шари та зсувна пружність системи “колаген–вода”
von: Bulavin, L. A., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Коливальні стани кластерів, які моделюють адсорбційні комплекси кисню на грані Si(100)
von: Теребінська, М.І., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3Ч3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
von: V. A. Gasparov
Veröffentlicht: (2011)

Some physical properties of Si₁₋xGex solid solutions using pseudo-alloy atom model
von: Jivani, A.R., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Взаємодiя кисню та гадолiнiю з Si(100)-2 × 1. Утворення системи з роботою виходу 1 еВ
von: Nakhodkin, M. G., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Приповерхневі зміни у поруватому вуглецевому матеріялі, ініційовані лазерним опроміненням
von: Трачевський, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001)
von: Lysenko, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2021)