Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001)
За допомогою розрахунків з перших принципів перевірено можливість переходу одного атома кисню з місткового зв'язку між атомами аддимера та атомами другого приповерхневого шару в зв'язок між атомами другого та третього шарів поверхні GexSi1–x/Si(001) у випадку адсорбції одного, двох та трьо...
Saved in:
Date: | 2022 |
---|---|
Main Authors: | Afanasieva, T.V., Greenchuck, A.A., Koval’, I.P., Nakhodkin, M.G. |
Format: | Article |
Language: | Ukrainian English |
Published: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
Subjects: | |
Online Access: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022103 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Journal Title: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of PhysicsSimilar Items
-
Адсорбція молекулярного кисню на по-верхню Si1–xGex/Si(001)
by: Greenchuk, A.A., et al.
Published: (2012) -
Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
by: A. A. Grynchuk, et al.
Published: (2014) -
Поверхневi напруження на початкових етапах окислення GexSi1−x/Si(001)
by: Grynchuk, A. A., et al.
Published: (2018) -
Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
by: O. A. Hrynchuk, et al.
Published: (2014) -
Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
by: Afanasieva, T.V., et al.
Published: (2022)