Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001)

За допомогою розрахунків з перших принципів перевірено можливість переходу одного атома кисню з місткового зв'язку між атомами аддимера та атомами другого приповерхневого шару в зв'язок між атомами другого та третього шарів поверхні GexSi1–x/Si(001) у випадку адсорбції одного, двох та трьо...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2022
Main Authors: Afanasieva, T.V., Greenchuck, A.A., Koval’, I.P., Nakhodkin, M.G.
Format: Article
Language:Ukrainian
English
Published: Publishing house "Academperiodika" 2022
Subjects:
-
Online Access:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022103
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics