Електронні властивості поверхні (111) в А3В5 та А2В6 кристалах
Для полярної поверхні (111) в кристалах типу A3B5 і A2B6: GaAs, ZnSe досліджено електронну зонну структуру, локальну густину станів (повну та пошарову) та розподіл зарядової густини валентних електронів. Окремо розглянуто властивостіповерхонь, що закінчуються катіоном та аніоном. Чисельний розрахуно...
Gespeichert in:
| Datum: | 2022 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian English |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022139 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of Physics| Zusammenfassung: | Для полярної поверхні (111) в кристалах типу A3B5 і A2B6: GaAs, ZnSe досліджено електронну зонну структуру, локальну густину станів (повну та пошарову) та розподіл зарядової густини валентних електронів. Окремо розглянуто властивостіповерхонь, що закінчуються катіоном та аніоном. Чисельний розрахунок проведено самоузгодженим "тривимірним" методом псевдопотенціалу в рамках моделі шаруватої надґратки. В процесі самоузгодження використано оригінальний ітератор, який дозволяє подолати труднощі, зумовлені наявністю, у випадку поверхні, векторів оберненої ґратки, менших 1 ат. од. |
|---|