Електронні властивості поверхні (111) в А3В5 та А2В6 кристалах
Для полярної поверхні (111) в кристалах типу A3B5 і A2B6: GaAs, ZnSe досліджено електронну зонну структуру, локальну густину станів (повну та пошарову) та розподіл зарядової густини валентних електронів. Окремо розглянуто властивостіповерхонь, що закінчуються катіоном та аніоном. Чисельний розрахуно...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022139 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2022139 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20221392022-02-16T19:25:48Z Електронні властивості поверхні (111) в А3В5 та А2В6 кристалах Electronic Properties of (111) Surface in A3B5 and A2B6 Crystals Gorkavenko, T.V., Zubkova, S.M. Makara, V.A. Rusina, L.N. Smelyansky, O.V. - - Для полярної поверхні (111) в кристалах типу A3B5 і A2B6: GaAs, ZnSe досліджено електронну зонну структуру, локальну густину станів (повну та пошарову) та розподіл зарядової густини валентних електронів. Окремо розглянуто властивостіповерхонь, що закінчуються катіоном та аніоном. Чисельний розрахунок проведено самоузгодженим "тривимірним" методом псевдопотенціалу в рамках моделі шаруватої надґратки. В процесі самоузгодження використано оригінальний ітератор, який дозволяє подолати труднощі, зумовлені наявністю, у випадку поверхні, векторів оберненої ґратки, менших 1 ат. од. The electronic band structure, the local densities of states (the total and layer-resolved ones), and the distribution of charge density of valence electrons at the (111) polar surface in A3B5 and A2B6 crystals, such as GaAs and ZnSe, have been studied. The properties of anion- and cation-terminated surfaces have been analyzed separately. The self-consistent ``3D'' pseudopotential method has been used for numerical calculations in the framework of a model of layered superlattice. The application of an original iterator in the self-consistence procedure allowed difficulties associated with the surface-induced presence of reciprocal-lattice vectors shorter that 1 a.u. to be overcome. Publishing house "Academperiodika" 2022-02-16 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022139 10.15407/ujpe56.2.147 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 2 (2011); 147 Український фізичний журнал; Том 56 № 2 (2011); 147 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe56.2 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022139/2397 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022139/2398 |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian English |
| topic |
- - |
| spellingShingle |
- - Gorkavenko, T.V., Zubkova, S.M. Makara, V.A. Rusina, L.N. Smelyansky, O.V. Електронні властивості поверхні (111) в А3В5 та А2В6 кристалах |
| topic_facet |
- - |
| format |
Article |
| author |
Gorkavenko, T.V., Zubkova, S.M. Makara, V.A. Rusina, L.N. Smelyansky, O.V. |
| author_facet |
Gorkavenko, T.V., Zubkova, S.M. Makara, V.A. Rusina, L.N. Smelyansky, O.V. |
| author_sort |
Gorkavenko, T.V., |
| title |
Електронні властивості поверхні (111) в А3В5 та А2В6 кристалах |
| title_short |
Електронні властивості поверхні (111) в А3В5 та А2В6 кристалах |
| title_full |
Електронні властивості поверхні (111) в А3В5 та А2В6 кристалах |
| title_fullStr |
Електронні властивості поверхні (111) в А3В5 та А2В6 кристалах |
| title_full_unstemmed |
Електронні властивості поверхні (111) в А3В5 та А2В6 кристалах |
| title_sort |
електронні властивості поверхні (111) в а3в5 та а2в6 кристалах |
| title_alt |
Electronic Properties of (111) Surface in A3B5 and A2B6 Crystals |
| description |
Для полярної поверхні (111) в кристалах типу A3B5 і A2B6: GaAs, ZnSe досліджено електронну зонну структуру, локальну густину станів (повну та пошарову) та розподіл зарядової густини валентних електронів. Окремо розглянуто властивостіповерхонь, що закінчуються катіоном та аніоном. Чисельний розрахунок проведено самоузгодженим "тривимірним" методом псевдопотенціалу в рамках моделі шаруватої надґратки. В процесі самоузгодження використано оригінальний ітератор, який дозволяє подолати труднощі, зумовлені наявністю, у випадку поверхні, векторів оберненої ґратки, менших 1 ат. од. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2022 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022139 |
| work_keys_str_mv |
AT gorkavenkotv elektronnívlastivostípoverhní111va3v5taa2v6kristalah AT zubkovasm elektronnívlastivostípoverhní111va3v5taa2v6kristalah AT makarava elektronnívlastivostípoverhní111va3v5taa2v6kristalah AT rusinaln elektronnívlastivostípoverhní111va3v5taa2v6kristalah AT smelyanskyov elektronnívlastivostípoverhní111va3v5taa2v6kristalah AT gorkavenkotv electronicpropertiesof111surfaceina3b5anda2b6crystals AT zubkovasm electronicpropertiesof111surfaceina3b5anda2b6crystals AT makarava electronicpropertiesof111surfaceina3b5anda2b6crystals AT rusinaln electronicpropertiesof111surfaceina3b5anda2b6crystals AT smelyanskyov electronicpropertiesof111surfaceina3b5anda2b6crystals |
| first_indexed |
2023-03-24T09:00:40Z |
| last_indexed |
2023-03-24T09:00:40Z |
| _version_ |
1795757758927077376 |