Електронні властивості поверхні (111) в А3В5 та А2В6 кристалах
Для полярної поверхні (111) в кристалах типу A3B5 і A2B6: GaAs, ZnSe досліджено електронну зонну структуру, локальну густину станів (повну та пошарову) та розподіл зарядової густини валентних електронів. Окремо розглянуто властивостіповерхонь, що закінчуються катіоном та аніоном. Чисельний розрахуно...
Saved in:
Date: | 2022 |
---|---|
Main Authors: | Gorkavenko, T.V., Zubkova, S.M., Makara, V.A., Rusina, L.N., Smelyansky, O.V. |
Format: | Article |
Language: | Ukrainian English |
Published: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
Subjects: | |
Online Access: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022139 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Journal Title: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of PhysicsSimilar Items
-
Електронні властивості карбенів
by: Korotkikh, N. I., et al.
Published: (2019) -
Вплив бору на структурні, пружні та електронні властивості карбіду титану
by: Plyushchay, I. V., et al.
Published: (2020) -
Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶
by: Зубкова, С.М., et al.
Published: (2014) -
Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆
by: Горічок, І.В.
Published: (2012) -
Оптичні та електронні властивості кобальту в різних структурних станах
by: Стащук, В.С., et al.
Published: (2009)