Вплив тиску на електронний спектр галогенідів індію і талію
На основі самоузгоджених розрахунків методом псевдопотенціалу проведено теоретичне вивчення структурних і електронних властивостей кристалів галогенідів індію і талію у широкому діапазоні змінизовнішнього тиску. Підтверджено визначальну роль надлишкової ns2-електронної пари катіона у формуванні стру...
Saved in:
| Date: | 2025 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian English |
| Published: |
Publishing house "Academperiodika"
2025
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022241 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of Physics| Summary: | На основі самоузгоджених розрахунків методом псевдопотенціалу проведено теоретичне вивчення структурних і електронних властивостей кристалів галогенідів індію і талію у широкому діапазоні змінизовнішнього тиску. Підтверджено визначальну роль надлишкової ns2-електронної пари катіона у формуванні структури та стабілізації сполук, що містять катіони зі зниженою валентністю. Визначено значення граничних тисків фазових переходів у високосиметричний структурний тип CsCl і переходівнапівпровідник–метал. Встановлено послідовність структурних фазових переходів у кристалах InCl. |
|---|