Феромагнетизм напівметалевих нанолистів GaN, легованих ванадієм, та його застосування у спінтронних пристроях
Проведено розрахунки в рамках теорiї функцiонала густини та з використанням узагальненого градiєнтного наближення для вивчення електронних структур, густини станiв i магнiтних властивостей GaN нанолистiв, легованих атомами ванадiю (V-GaN-НЛ), з рiзними концентрацiями легуючих домiшок (2,08% i 4,16%)...
Saved in:
| Date: | 2024 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | English Ukrainian |
| Published: |
Publishing house "Academperiodika"
2024
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023346 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of Physics| Summary: | Проведено розрахунки в рамках теорiї функцiонала густини та з використанням узагальненого градiєнтного наближення для вивчення електронних структур, густини станiв i магнiтних властивостей GaN нанолистiв, легованих атомами ванадiю (V-GaN-НЛ), з рiзними концентрацiями легуючих домiшок (2,08% i 4,16%). Всi розрахунки проводилися за допомогою програмного пакету Atomistix ToolKit. Виявлено покращення електронних властивостей V-GaN-НЛ при значеннi параметра Хаббарда U = 4 еВ. V-GaN-НЛ демонструють наявнiсть стабiльних феромагнiтних станiв вiдносно вiдповiдних антиферомагнiтних станiв. Виявлено, що розраховане значення температури Кюрi для VGaN-НЛ перевищує кiмнатну температуру. Результати розрахункiв показують, що V-GaN-НЛ можуть бути гарними кандидатами для спiнтронiки внаслiдок їх хорошого напiв-металевого феромагнетизму. |
|---|