Механізми електропровідності напівпровідника Tm1 – xVxNiSb

The structural, thermodynamic, kinetic, and energy characteristics of the Tm1−xVxNiSb semiconductor are studied over T = 80–400 K and 0 ≤ x ≤ 0.10. The present study demonstrates that the crystal structure of TmNiSb is disordered and contains up to 2% of vacancies at the 4a crystallographic site (Tm...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2024
Hauptverfasser:	Romaka, V.V., Romaka, V.A., Stadnyk, Yu.V., Romaka, L.P., Horyn, A.M., Demchenko, P.Yu., Pashkevych, V.Z.
Format:	Artikel
Sprache:	English Ukrainian
Veröffentlicht:	Publishing house "Academperiodika" 2024
Schlagworte:	напiвгойслерiвськi фази рiвень Фермi електронна структура електроопiр коефiцiєнт термоелектрорушiйної сили
Online Zugang:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023390
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics

id	ujp2-article-2023390
record_format	ojs
spelling	ujp2-article-20233902024-12-14T14:46:18Z Electrical Conductivity Mechanisms of the Tm1 – xVxNiSb Semiconductor Механізми електропровідності напівпровідника Tm1 – xVxNiSb Romaka, V.V. Romaka, V.A. Stadnyk, Yu.V. Romaka, L.P. Horyn, A.M. Demchenko, P.Yu. Pashkevych, V.Z. напiвгойслерiвськi фази рiвень Фермi електронна структура електроопiр коефiцiєнт термоелектрорушiйної сили half-Heusler phases Fermi level electronic structure electrical resistivity thermopower coefficient The structural, thermodynamic, kinetic, and energy characteristics of the Tm1−xVxNiSb semiconductor are studied over T = 80–400 K and 0 ≤ x ≤ 0.10. The present study demonstrates that the crystal structure of TmNiSb is disordered and contains up to 2% of vacancies at the 4a crystallographic site (Tm atoms), which are gradually filled with V atoms up to x = 0.03 with further V for Tm substitution. The formation of two types of acceptor states with different depths of occurrence is experimentally determined: small acceptors generated by vacancies in the p-TmNiSb structure, and deep ones presumably formed by the vacancies at the Ni 4c site and correspond to the homogeneity region TmxNi1−xSb typical of other RNiSb half-Heusler phases. The results of the DFT modeling, including ground-state energy, distribution of the density of electronic states (DOS), and the band structure of Tm1−xVxNiSb, are consistent with experimental studies. Дослiджено структурнi, термодинамiчнi, кiнетичнi та енергетичнi властивостi напiвпровiдникiв Tm1−xVxNiSb з 0 ≤ x ≤ 0,10 в iнтервалi температур T = 80–400 K. Проведене дослiдження показує, що кристалiчна структура TmNiSb (x = 0) є невпорядкованою i мiстить до 2% вакансiй у кристалографiчнiй позицiї 4a атомiв Tm, якi з ростом x до x = 0,03 поступово заповнюються атомами V; подальше збiльшення x супроводжується замiщенням атомiв Tm атомами V. Експериментально встановлено механiзм формування двох сортiв акцепторних станiв з рiзною глибиною залягання: мiлких акцепторiв, породжених вакансiями у структурi p-TmNiSb, та глибоких акцепторiв, утворених вакансiями у кристалографiчнiй позицiї 4c атомiв Ni, якi вiдповiдають областi гомогенностi сполуки TmxNi1−xSb, типовiй для iнших фаз RNiSb. Результати моделювання в рамках теорiї функцiонала густини, включно iз енергiєю основного стану, розподiлом густини електронних станiв I зонною структурою Tm1−xVxNiSb, узгоджуються з результатами експериментальних дослiджень. Publishing house "Academperiodika" 2024-12-14 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023390 10.15407/ujpe69.12.936 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 69 No. 12 (2024); 936 Український фізичний журнал; Том 69 № 12 (2024); 936 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe69.12 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023390/3234 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023390/3235 Copyright (c) 2024 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
institution	Ukrainian Journal of Physics
baseUrl_str
datestamp_date	2024-12-14T14:46:18Z
collection	OJS
language	English Ukrainian
topic	напiвгойслерiвськi фази рiвень Фермi електронна структура електроопiр коефiцiєнт термоелектрорушiйної сили
spellingShingle	напiвгойслерiвськi фази рiвень Фермi електронна структура електроопiр коефiцiєнт термоелектрорушiйної сили Romaka, V.V. Romaka, V.A. Stadnyk, Yu.V. Romaka, L.P. Horyn, A.M. Demchenko, P.Yu. Pashkevych, V.Z. Механізми електропровідності напівпровідника Tm1 – xVxNiSb
topic_facet	напiвгойслерiвськi фази рiвень Фермi електронна структура електроопiр коефiцiєнт термоелектрорушiйної сили half-Heusler phases Fermi level electronic structure electrical resistivity thermopower coefficient
format	Article
author	Romaka, V.V. Romaka, V.A. Stadnyk, Yu.V. Romaka, L.P. Horyn, A.M. Demchenko, P.Yu. Pashkevych, V.Z.
author_facet	Romaka, V.V. Romaka, V.A. Stadnyk, Yu.V. Romaka, L.P. Horyn, A.M. Demchenko, P.Yu. Pashkevych, V.Z.
author_sort	Romaka, V.V.
title	Механізми електропровідності напівпровідника Tm1 – xVxNiSb
title_short	Механізми електропровідності напівпровідника Tm1 – xVxNiSb
title_full	Механізми електропровідності напівпровідника Tm1 – xVxNiSb
title_fullStr	Механізми електропровідності напівпровідника Tm1 – xVxNiSb
title_full_unstemmed	Механізми електропровідності напівпровідника Tm1 – xVxNiSb
title_sort	механізми електропровідності напівпровідника tm1 – xvxnisb
title_alt	Electrical Conductivity Mechanisms of the Tm1 – xVxNiSb Semiconductor
description	The structural, thermodynamic, kinetic, and energy characteristics of the Tm1−xVxNiSb semiconductor are studied over T = 80–400 K and 0 ≤ x ≤ 0.10. The present study demonstrates that the crystal structure of TmNiSb is disordered and contains up to 2% of vacancies at the 4a crystallographic site (Tm atoms), which are gradually filled with V atoms up to x = 0.03 with further V for Tm substitution. The formation of two types of acceptor states with different depths of occurrence is experimentally determined: small acceptors generated by vacancies in the p-TmNiSb structure, and deep ones presumably formed by the vacancies at the Ni 4c site and correspond to the homogeneity region TmxNi1−xSb typical of other RNiSb half-Heusler phases. The results of the DFT modeling, including ground-state energy, distribution of the density of electronic states (DOS), and the band structure of Tm1−xVxNiSb, are consistent with experimental studies.
publisher	Publishing house "Academperiodika"
publishDate	2024
url	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2023390
work_keys_str_mv	AT romakavv electricalconductivitymechanismsofthetm1xvxnisbsemiconductor AT romakava electricalconductivitymechanismsofthetm1xvxnisbsemiconductor AT stadnykyuv electricalconductivitymechanismsofthetm1xvxnisbsemiconductor AT romakalp electricalconductivitymechanismsofthetm1xvxnisbsemiconductor AT horynam electricalconductivitymechanismsofthetm1xvxnisbsemiconductor AT demchenkopyu electricalconductivitymechanismsofthetm1xvxnisbsemiconductor AT pashkevychvz electricalconductivitymechanismsofthetm1xvxnisbsemiconductor AT romakavv mehanízmielektroprovídnostínapívprovídnikatm1xvxnisb AT romakava mehanízmielektroprovídnostínapívprovídnikatm1xvxnisb AT stadnykyuv mehanízmielektroprovídnostínapívprovídnikatm1xvxnisb AT romakalp mehanízmielektroprovídnostínapívprovídnikatm1xvxnisb AT horynam mehanízmielektroprovídnostínapívprovídnikatm1xvxnisb AT demchenkopyu mehanízmielektroprovídnostínapívprovídnikatm1xvxnisb AT pashkevychvz mehanízmielektroprovídnostínapívprovídnikatm1xvxnisb
first_indexed	2024-12-15T20:36:27Z
last_indexed	2024-12-15T20:36:27Z
_version_	1821648493408681984

Механізми електропровідності напівпровідника Tm1 – xVxNiSb

Institution

Ähnliche Einträge