Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла...

за авторством Арапов, Ю.Г., Карсканов, И.В., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Якунин, М.В.
Опубліковано 2009

Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix...

за авторством Арапов, Ю.Г., Гудина, С.В., Карсканов, И.В., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Ше, Н.Г
Опубліковано 2007

Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами

за авторством Арапов, Ю.Г., Якунин, М.В., Гудина, С.В., Карсканов, И.В., Неверов, В.Н., Харус, Г.И., Шелушинина, Н.Г., Подгорных, С.М., Звонков, Б.Н., Ускова, Е.А.
Опубліковано 2007