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  1. 1
    Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide
    von Glinchuk, K.D., Litovchenko, N.M., Strilchuk, O.N.
    Veröffentlicht 2003
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  2. 2
    Analysis of luminescence method applicability for determination of Cd₁₋xZnxTe composition
    von Glinchuk, K.D., Litovchenko, N.M., Strilchuk, O.N.
    Veröffentlicht 2003
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  3. 3
    On the origin of 300 K near-band-edge luminescence in CdTe
    von Glinchuk, K.D., Litovchenko, N.M., Strilchuk, O.N.
    Veröffentlicht 2003
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  4. 4
    About influences of different actions on spectra of impurity photoluminescence in GaAs
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  5. 5
    Stimulated by heating-up changes of lux-brightness characteristics of semi-in sulating speciallyundoped GaAs crystals
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  6. 6
    Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах
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  7. 7
    Analysis of luminescence method for determination of Cd₁₋xZnxTe composition
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