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  1. 1
    Recombination of non-equilibrium charge carriers injected into Ge through intermediate defective layer
    von Nadtochiy, V., Golodenko, N., Nechvolod, N.
    Veröffentlicht 2005
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  2. 2
    Periodic structure formation in GaAs near-surface layer by laser beam with diffraction modulated intensity
    von Moskal, D., Nadtochiy, V., Golodenko, N.
    Veröffentlicht 2006
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  3. 3
    Microplasticity of subsurface layers of diamond-like semiconductors under microindentation
    von Nadtochiy, V.A., Alyokhin, V.P., Golodenko, M.M.
    Veröffentlicht 2005
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