Кремнієві р-МОН та n-МОН транзистори з одновісно деформованими каналами у нанотехнології електронних приладів...

by Gorin, A.E., Gromova, G.V., Ermakov, V.M., Kogoutyuk, P.P., Kolomoets, V.V., Nasarchuk, P.F., Panasjuk, L.I., Fedosov, S.A.
Published 2022

Investigations of physical mechanisms of metal-insulator transition in highly strained n-Si and n-Ge crystals

by Budzulyak, S.I., Ermakov, V.M., Kyjak, B.R., Kolomoets, V.V., Machulin, V.F., Novoselets, M.K., Panasjuk, L.I., Sus', B.B., Venger, E.F.
Published 2003

Thermodonor activation energy and mechanisms of tensoeffects in transmutation-doped y-irradiated silicon

by Dotsenko, Yu.P., Ermakov, V.M., Gorin, A.E., Khivrych, V.I., Kolomoets, V.V., Machulin, V.F., Panasjuk, L.I., Prokopenko, I.V., Sus', B.B., Venger, E.F.
Published 2003