Инфразвуковой эффект солнечных затмений
Актуальность работы обусловлена необходимостью исследования физических эффектов, сопровождающих редкое природное явление – солнечное затмение. До настоящего времени исследовались особенности генерации солнечным затмением внутренних гравитационных волн в атмосфере с периодами T ~ 10÷ 100 мин. В предс...
Gespeichert in:
| Datum: | 2013 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Радіоастрономічний інститут НАН України
2013
|
| Schriftenreihe: | Радиофизика и радиоастрономия |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/100142 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Инфразвуковой эффект солнечных затмений / В.Ф. Пушин, Л.Ф. Черногор // Радиофизика и радиоастрономия. — 2013. — Т. 18, № 2. — С. 127-137. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Актуальность работы обусловлена необходимостью исследования физических эффектов, сопровождающих редкое природное явление – солнечное затмение. До настоящего времени исследовались особенности генерации солнечным затмением внутренних гравитационных волн в атмосфере с периодами T ~ 10÷ 100 мин. В представленной работе предпринята попытка подтвердить факт генерации и оценить основные параметры инфразвуковых колебаний с T~1÷10 мин, сопровождавших солнечные затмения. Для наблюдений использовался доплеровский ВЧ радар вертикального зондирования. Для обработки данных применялся спектральный анализ и полосно-пропускающая фильтрация. Подтверждено, что частные солнечные затмения, имевшие место над Харьковом (Украина) в 1999–2011 гг., как правило, сопровождались колебаниями доплеровского смещения частоты инфразвукового диапазона (T ~ 5÷ 8 мин) и амплитудой 20÷ 100 мГц. Им соответствовала относительная амплитуда колебаний концентрации электронов около 0.1÷ 0.5% |
|---|