Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей
В работе исследуются вольтамперные характеристики и эффективность генерации планарных диодов с туннельным анодом (ТА) и туннельной боковой границей (ТБГ) на основе GaAs с целью определения влияния параметров ТА и ТБГ на вольтамперные характеристики и эффективность генерации на низких и высоких часто...
Gespeichert in:
Datum: | 2014 |
---|---|
Hauptverfasser: | , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | Russian |
Veröffentlicht: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2014
|
Schriftenreihe: | Радіофізика та електроніка |
Schlagworte: | |
Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/106109 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Zitieren: | Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А Реутина // Радіофізика та електроніка. — 2014. — Т. 5(19), № 3. — С. 71-75. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |