Избыточный квазичастичный ток в джозефсоновских гетероструктурах сверхпроводник—допированный полупроводник—сверхпроводник MoRe—Si (W)—MoRe
В работе исследованы вольт-амперные характеристики гетеропереходов вида MoRe—Si (W)—MoRe; при этом толщина и концентрация допанта полупроводникового барьера Si (W) изготовленных гетероструктур изменялись в широком диапазоне значений. Было установлено, что при относительно высоких концентрациях (5—9...
Gespeichert in:
| Datum: | 2014 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2014
|
| Schriftenreihe: | Металлофизика и новейшие технологии |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/106989 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Избыточный квазичастичный ток в джозефсоновских гетероструктурах сверхпроводник—допированный полупроводник—сверхпроводник MoRe—Si (W)—MoRe / В.Е. Шатерник, М.А. Белоголовский, А.П. Шаповалов, А.Ю. Суворов // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 8. — С. 999-1006. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |