Технология получения и исследование гетероструктурных солнечных элементов на основе n-Cds/p-CdTe
Разработана технология получения гетероструктурных солнечных элементов графен /CdS/CdTe/CdCl₂/Sb₂Te₃/Мо сформированных на стеклянных подложках и полиамидных плёнках. Исследуется, световые вольтамперные характеристики и определяются выходные параметры солнечных элементов....
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2015
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108643 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Технология получения и исследование гетероструктурных солнечных элементов на основе n-Cds/p-CdTe / Ш.Б. Каримов, Б.Х. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 1. — С. 57-60. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |