Радиационная стойкость n- и p-Si, легированного кислородом и германием, при облучении высокоэнергетическими ядерными частицами
Исследована радиационная стойкость образцов n- и р-Si, выращенных методом бестигельной зонной плавки и трансмутационно-легированных, а также кремния, выращенного методом Чохральского до и после легирования германием (NGe = 2 · 10²⁰ cм⁻³), после облучения быстрыми нейтронами реактора ВВР-М при комнат...
Gespeichert in:
| Datum: | 2009 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2009
|
| Schriftenreihe: | Вопросы атомной науки и техники |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111101 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Радиационная стойкость n- и p-Si, легированного кислородом и германием, при облучении высокоэнергетическими ядерными частицами / А.П. Долголенко, Г.П. Гайдар, М.Д. Варенцов, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 2. — С. 151-157. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |