Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx
З використанням оптичних методик (поглинання в ІЧ- та видимій областях, КР-спектроскопія) досліджено реверсивний фотостимульований зсув краю поглинання (фотопотемніння) – ΔEg – наночастинок As₂S₃ у матриці SiO₁,₅. Під час формування нанокомпозитів As₂S₃/SiO₁,₅ фази халькогеніду розділяються на класт...
Gespeichert in:
| Datum: | 2011 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Schriftenreihe: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116704 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx / В.А. Данько, І.З. Індутний, О.Ф. Коломис, В.В. Стрельчук, П.Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 103-110. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |