Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций (обзор)
Обобщен цикл экспериментальных и теоретических исследований температурных зависимостей удельного контактного сопротивления ρс(Т) омических контактов к широкозонным полупроводникам А3В5 и к кремнию с учетом атермического воздействия микроволнового излучения. На основе теоретического анализа ρс(Т) пре...
Gespeichert in:
| Datum: | 2013 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Schriftenreihe: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116724 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций (обзор) / А.В. Саченко, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, В.Н. Шеремет // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 5-29. — Бібліогр.: 64 назв. — рос. |