Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge

Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge

У кристалах n-Ge при 77 K в умовах X || J || H || [111] досліджено поздовжній магнітотензоопір у залежності від величини напруженості магнітного поля Н при різних значеннях механічного напруження одновісного стиску Х, а також поздовжній тензомагнітоопір у залежності від Х при різних значеннях Н. Зап...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2016
Hauptverfasser:	Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainian
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
Schriftenreihe:	Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Online Zugang:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116789
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 128-134. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію
von: Гайдар, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si
von: Гайдар, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n–Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації
von: Гайдар, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si
von: Баранський, П.І., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук
von: Баранський, П.І., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію
von: Баранський, П.І., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів
von: Баранський, П.І., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії
von: Баранський, П.І., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Фізичні фактори, що зумовлюють анізотропію термоерс і анізотропію рухливості в багатодолинних напівпровідниках
von: Баранський, П.І., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації
von: Баранський, П.І., et al.
Veröffentlicht: (2015)

До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉
von: Гайдар, Г.П.
Veröffentlicht: (2019)

Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів
von: Гайдар, Г.П.
Veröffentlicht: (2018)

Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов’язаної зі специфікою прояву багатьох долин
von: Баранський, П.І., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках
von: Баранський, П.І., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si
von: Баранський, П.І., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки
von: Гайдар, Г.П.
Veröffentlicht: (2020)

Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки
von: Гайдар, Г.П.
Veröffentlicht: (2020)

Епітаксійне вирощування нанооб'єктів і умови прояву ефекту самоорганізації
von: Гайдар, Г.П.
Veröffentlicht: (2010)

Фундаментальна наука і суспільний поступ
von: Мачулін, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2007)

До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках
von: Гайдар, Г.П.
Veröffentlicht: (2022)

Деформаційні ефекти у кристалах германію діркової провідності
von: Гайдар, Г.П.
Veröffentlicht: (2023)

Magnetotenso- and tensomagnetoresistance of n-Ge
von: P. I. Baranskyi, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій
von: Гайдар, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Радиационная стойкость n- и p-Si, легированного кислородом и германием, при облучении высокоэнергетическими ядерными частицами
von: Долголенко, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Вплив взаємодії у системах GeO-GeO₂ та Ge-GeO₂(SnO₂) на оптичні властивості композитів
von: Зінченко, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
von: Baranskii, P.I., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
von: P. I. Baranskii, et al.
Veröffentlicht: (2012)

On the methodology of tensoresistance determination for n-Ge and n-Si in the crystallographic directions 〈110〉
von: H. P. Haidar
Veröffentlicht: (2019)

The method of shear modulus determination for n-Ge and n-Si single crystals
von: V. I. Shvabiuk, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Spectral photosensitivity of diffused Ge-p–i–n photodiods
von: A. V. Fedorenko
Veröffentlicht: (2020)

Anisotropy of electron phonon drag thermoEMF in n-Ge
von: P. I. Baranskii, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Influence of interaction in the GeO—GeO2 and Ge—GeO2(SnO2) systems on optical properties of composites
von: V. F. Zinchenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Моделювання і прогнозування гетероскедастичних процесів
von: Бідюк, П.І.
Veröffentlicht: (2004)

Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия
von: Гайдар, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Взаємодія сульфоленів і сульфоланів з амінами
von: Пархоменко, П.І.
Veröffentlicht: (2000)

Вплив добавки германію у композиті MNіN2S4–Ge на властивості одержуваних тонкоплівкових покриттів
von: Зінченко, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки
von: Асніс, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Розмежування понять “мова” і “мовлення” у мовознавстві
von: Сигеда, П.І.
Veröffentlicht: (2010)

Changes in Hall parameters after γ-irradiation (⁶⁰Со) of n-Ge
von: Gaidar, G.P.
Veröffentlicht: (2011)

Changes in Hall parameters after -irradiation (60So) of n-Ge
von: G. P. Gaidar
Veröffentlicht: (2011)