Changes in Hall parameters after γ-irradiation (⁶⁰Со) of n-Ge
Studying the γ-irradiation influence on the properties of n-type germanium (n - ‹GeAs›) within the interval of concentrations of the doping arsenic impurity 7.79×10¹³ ≤ NAs ≡ nc ≤ 6.36 × 10¹⁶cm⁻³ has shown that the initial resistivity of single crystals with concentrations NAs ≥ 5×10¹⁵ cm⁻³ remains...
Gespeichert in:
| Datum: | 2011 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Schriftenreihe: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117756 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Changes in Hall parameters after γ-irradiation (⁶⁰Со) of n-Ge / G.P. Gaidar // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 3. — С. 294-297. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |