Characterization of quaternary chalcogenide As-Ge-Te-Si thin films
Investigated in this paper is the effect of replacement of Te by Si on the optical gap and some other physical operation parameters of quaternary chalcogenide As₃₀Ge₁₀Te₆₀₋xSix (where x = 0, 5, 10, 12 and 20 at.%) thin films. Thin films with the thickness 100-200 nm of As₃₀Ge₁₀Te₆₀₋xSix were pre...
Gespeichert in:
| Datum: | 2011 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Schriftenreihe: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117764 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Characterization of quaternary chalcogenide As-Ge-Te-Si thin films / H.H. Amer, M. Elkordy, M. Zien, A. Dahshan, R.A. Elshamy // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 3. — С. 302-307. — Бібліогр.: 34 назв. — англ. |