Electron-enhanced reactions responsible for photoluminescence spectrum change in II-VI compounds
Electron-enhanced reactions in II-VI compounds are shown to be caused by the presence of some mobile defects which diffusion is not enhanced under excitation. At the same time, electron-enhanced diffusion can be imitated in these reactions due to carrier trapping by deep centers that do or even do n...
Збережено в:
| Дата: | 1999 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117932 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Electron-enhanced reactions responsible for photoluminescence spectrum change in II-VI compounds / N.E. Korsunskaya, I.V. Markevich, B.R. Dzhumaev, L.V. Borkovskaya, M.K. Sheinkman // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 1. — С. 4246-ХХ. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |