Datsenko, L., Auleytner, J., Misiuk, A., Klad'ko, V., Machulin, V., Bak-Misiuk, J., . . . Choinski, J. (1999). Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Datsenko, L.I, et al. Structure Perfection Variations of Si Crystals Grown by Czochralski or Floating Zone Methods After Implantation of Oxygen or Neon Atoms Followed by Annealing. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 1999.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Datsenko, L.I, et al. Structure Perfection Variations of Si Crystals Grown by Czochralski or Floating Zone Methods After Implantation of Oxygen or Neon Atoms Followed by Annealing. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 1999.