Magnetic point contact in ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As
We show that narrow constrictions, a few hundred nanometers wide, in ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As layer exhibit large spin-related magnetoresistance. Moreover, we demonstrate that application of oxygen-ions implantation, instead of chemical etching, is much better method of tailoring nanome...
Gespeichert in:
| Datum: | 2003 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Schriftenreihe: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117941 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Magnetic point contact in ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As / T. Figielski, T. Wosinski, A. Morawski, O. Pelya, A. Makosa, W. Dobrowolski, J. Wrobel, J. Sadowski, J. Jagielski, J. Ratajczak // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 1. — С. 53-54. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |